參數(shù)資料
型號： 2N6075A
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Sensitive Gate Triacs
中文描述： 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225
封裝： CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： 2N6075A
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
4
MT1
(+) IGT
GATE
(+) MT2
REF
MT1
(–) IGT
GATE
(+) MT2
REF
MT1
(+) IGT
GATE
(–) MT2
REF
MT1
(–) IGT
GATE
(–) MT2
REF
–
MT2 NEGATIVE
(Negative Half Cycle)
MT2 POSITIVE
(Positive Half Cycle)
+
Quadrant III
Quadrant IV
Quadrant II
Quadrant I
Quadrant Definitions for a Triac
IGT –
+ IGT
All polarities are referenced to MT1.
With in–phase signals (using standard AC lines) quadrants I and III are used.
SENSITIVE GATE LOGIC REFERENCE
IC Logic
Functions
Firing Quadrant
I
II
III
IV
TTL
2N6071A
Series
2N6071A
Series
HTL
2N6071A
Series
2N6071A
Series
CMOS (NAND)
2N6071B
Series
2N6071B
Series
CMOS (Buffer)
2N6071B
Series
2N6071B
Series
Operational
Amplifier
2N6071A
Series
2N6071A
Series
Zero Voltage
Switch
2N6071A
Series
2N6071A
Series
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6075B Sensitive Gate Triacs
2N6073A TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
2N6073B TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
2N6075A TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
2N6075B TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
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參數(shù)描述
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2N6075AG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075B 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075BG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6076 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 25V 10mA 500hfe RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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