參數(shù)資料
型號: 2N6075AG
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 晶閘管
英文描述: Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
中文描述: 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225
封裝: LEAD FREE, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 84K
代理商: 2N6075AG
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
6
,
Z
θ
J
40
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
TM
, ON-STATE VOLTAGE (VOLTS)
T
J
= 110
°
C
T
J
= 25
°
C
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.360
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
GATE OPEN
APPLIES TO EITHER DIRECTION
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
7.0
10
NUMBER OF FULL CYCLES
T
J
= 40 to +110
°
C
f = 60 Hz
0.2
0.1
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
MAXIMUM
TYPICAL
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
0.3
t, TIME (ms)
I
I
P
°
C
30
20
10
Figure 7. Maximum OnState Characteristics
Figure 8. Typical Holding Current
Figure 9. Maximum Allowable Surge Current
Figure 10. Thermal Response
相關PDF資料
PDF描述
2N6075BG Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
2N6071A Sensitive Gate Triacs
2N6071B Sensitive Gate Triacs
2N6073A Sensitive Gate Triacs
2N6073B Sensitive Gate Triacs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N6075B 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6075BG 功能描述:雙向可控硅 Sensitive Gate RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6076 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 25V 10mA 500hfe RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_1 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6076_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2