參數(shù)資料
型號： 2N6075B
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Sensitive Gate Triacs
中文描述： 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225
封裝： CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 119K
代理商： 2N6075B
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
5
IT(AV), AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMP)
Figure 1. Average Current Derating
140
120
100
80
60
40
20
0
–20
–40
–60
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
2.0
3.0
0.5
0.3
0.7
1.0
120
3.0
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
140
OFF-STATE VOLTAGE = 12 Vdc
ALL MODES
OFF-STATE VOLTAGE = 12 Vdc
ALL MODES
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. Typical Gate–Trigger Current
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. Typical Gate–Trigger Voltage
120
°
90
°
30
°
dc
0
2.0
4.0
8.0
6.0
4.0
3.0
2.0
1.0
IT(RMS), RMS ON-STATE CURRENT (AMP)
3.0
0
0
2.0
4.0
6.0
0
1.0
2.0
8.0
4.0
α
= 30
°
60
°
90
°
120
°
180
°
dc
IT(AV), AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMP)
80
3.0
90
70
100
0
1.0
2.0
110
4.0
60
°
120
°
dc
α
= CONDUCTION ANGLE
a
a
a
α
= CONDUCTION ANGLE
a
70
80
3.0
100
0
1.0
2.0
90
α
a
110
120
°
180
°
dc
90
°
α
= 30
°
a
a
α
= CONDUCTION ANGLE
4.0
IT(RMS), RMS ON-STATE CURRENT (AMP)
Figure 2. RMS Current Derating
180
°
α
= 30
°
90
°
α
= CONDUCTION ANGLE
60
°
60
°
C
°
C
°
(
V
(
I
α
= 180
°
Figure 3. Power Dissipation
Figure 4. Power Dissipation
,
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6073A TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
2N6073B TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
2N6075A TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
2N6075B TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS
2N6071 4 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(4A（均方根值），200V，硅雙向晶閘管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2N6076 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 25V 10mA 500hfe RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_1 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6076_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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