參數(shù)資料
型號： 2N6075BG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
中文描述： 600 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-225
封裝： LEAD FREE, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： 2N6075BG
2N6071A/B Series
http://onsemi.com
6
,
Z
θ
J
40
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
TM
, ON-STATE VOLTAGE (VOLTS)
T
J
= 110
°
C
T
J
= 25
°
C
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.360
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
GATE OPEN
APPLIES TO EITHER DIRECTION
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
7.0
10
NUMBER OF FULL CYCLES
T
J
= 40 to +110
°
C
f = 60 Hz
0.2
0.1
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
MAXIMUM
TYPICAL
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
0.3
t, TIME (ms)
I
I
P
°
C
30
20
10
Figure 7. Maximum OnState Characteristics
Figure 8. Typical Holding Current
Figure 9. Maximum Allowable Surge Current
Figure 10. Thermal Response
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6071A Sensitive Gate Triacs
2N6071B Sensitive Gate Triacs
2N6073A Sensitive Gate Triacs
2N6073B Sensitive Gate Triacs
2N6075A Sensitive Gate Triacs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6076 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 25V 10mA 500hfe RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_1 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6076_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6076_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Si NPN Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*