參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6109BD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/60頁
文件大?。?/td> 371K
代理商： 2N6109BD
Selector Guide
2–12
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 7. DPAK – Surface Mount Power Packages (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min
2
100
MJD112 (2)
MJD117 (2)
1000 min
2
1.7
1.3
2
25(1)
20
3
40
MJD31
MJD32
10 min
1
0.6
0.3
1
3
15
100
MJD31C
MJD32C
10 min
1
0.6
0.3
1
3
15
4
80
MJD6039 (2)
MJD6036 (2)
1k/12k
2
1.7
1.2
2
25
20
100
MJD243
MJD253
40/180
0.2
0.16
0.04
1
40
12.5
5
25
MJD200
MJD210
45/180
2
0.15
0.04
2
65
12.5
6
100
MJD41C
MJD42C
15/75
3
0.4
0.15
3
20
8
80
MJD44H11
MJD45H11
40 min
4
0.5
0.14
5
50 typ
20
100
MJD122 (2)
MJD127 (2)
1k/12k
4
1.5
2
4
4(1)
20
10
60
MJD3055
MJD2955
20/100
4
1.5
3
2
20
80
MJD44E3 (2)
1k min
5
2
0.5
10
20
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
CASE 197A TO–204AE
(Used for high current types at end of
table. See types w/footnote(16).)
2
1
CASE 1–07
TO–204AA
.040
″
.060
″
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
4
200
MJ15018
30 min
1
20
150
250
MJ15020
MJ15021
30 min
1
20
150
5
700/1500
BU208A
2.5 min
4.5
8 typ
0.4 typ
4.5
4 typ
90
8
60
MJ1000(2)
1k min
3
90
2N6055(2)
750/18k
4
1.5 typ
4
4(1)
100
80
MJ1001 (2)
1k min
3
90
2N6056 (2)
750/18k
4
1.5 typ
4
4(1)
100
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
(12)Case 369 may be ordered by adding –1 suffix to part number.
(13)Case 369A may be ordered as tape and reel by adding a “T4” suffix; 2500 units/reel.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6292BD 7 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6292BU 7 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6109AU 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6288BU 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6107DW 7 A, 70 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6109G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 50V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6110 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors
2N6111 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6111_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP SWITCHING TRANSISTOR
2N6111G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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