參數(shù)資料
型號： 2N6304
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72
封裝： M244, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： 2N6304
MSC1323.PDF 10-25-99
2N6304
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25
°
C)
STATIC
(off)
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC = 5.0 mAdc, IB = 0)
15
-
-
Vdc
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC= 100
μ
Adc, IE=0)
30
-
-
Vdc
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE = 100
μ
Adc, IC = 0)
3.5
-
-
Vdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB = 5.0 Vdc, IE = 0 Vdc)
-
-
10
nAdc
(on)
HFE
DC Current Gain
(IC = 2.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
25
-
250
-
DYNAMIC
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
f
T
Current-Gain - Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
1.4
-
-
GHz
NF
Noise Figure (50 Ohms)
(IC = 2 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 450 MHz)
5.0
dB
CCB
Collector-Base Capacitance
(VCB = 10Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
-
0.8
1.0
pF
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PDF描述
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