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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N6576 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封裝： | METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 363K |
| 代理商： | 2N6576 |
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2N6576 2N6577 2N6578
3–146
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
(VOL
TS)
10 k
Figure 2. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5 k
1 k
Figure 3. Collector Saturation Region
5
0.5
0.0001
0.1
4
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
+ 150
°C
25
°C
–30
°C
10 A
3
2
1
500
200
0.2
1.0
2.0
15
5 A
0.01
0.05
0.5
5.0
10
0.02
VCE = 3 Vdc
0.005
0.0003
0.001 0.002
15 A
1 A
IB, BASE CURRENT (AMPS)
2 k
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 4. Collector Saturation Voltage
5
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.5
1
5
15
3
2
1
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
4
1.5
1
Figure 5. Base–Emitter Voltage
2
1.5
210
0.5
– 30
°C
3
0.2
0.5
1
5
15
210
IC/IB = 100
+25
°C
+150
°C
VBE(sat) @ IC/IB = 100
VBE(on) @ VCE = 3 V, 25°C
– 30
°C
+ 25
°C
TJ = + 150°C
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 6. Thermal Response
t, TIME (ms)
0.01
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
r(t)
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
θJC(t) = r(t) θJC
θJC = 1.46
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
SINGLE PULSE
0.2
0.05
0.1
0.02
0.01
0.7
0.5
0.3
0.1
7.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
100
200 300
1000
500
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
0.7
70
700
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PDF描述 |
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