| 型號: | 2N6653 |
| 廠商: | SEMELAB LTD |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
| 中文描述: | 20 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封裝: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 11K |
| 代理商: | 2N6653 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6654 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
| 2N6786 | N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
| 2N7002K | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| 2N7002PT | 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET |
| 2N7002PV | 60 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6654 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2N6655 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device |
| 2N6658 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3 |
| 2N6659 | 功能描述:MOSFET 35V 1.8 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N6659-2 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH MOSFET TO-39 35V 1.8 OHM (JANTX SIMILAR) - Bulk |