參數(shù)資料
型號： 2N6661M1A
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 1 A, 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA
封裝： HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 724K
代理商： 2N6661M1A
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE POWER MOSFET
2N6661M1A
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 9006
Issue 1
Page 2 of 3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise stated)
Symbols
Parameters
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
BVDSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
VGS = 0
ID = 1.0A
90
V
VDS = VGS
ID = 1.0mA
0.8
2.0
TC = 125°C
0.3
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
TC = -55°C
2.5
V
VGS = ±20V
VDS = 0V
±100
IGSS
Gate-Source Leakage Current
TC = 125°C
±500
nA
VDS = 72V
VGS = 0
1.0
IDSS
Zero Gate Voltage
Drain Current
TC = 125°C
100
A
ID(ON)(2)
On-State Drain Current
VDS = 10V
VGS = 10V
1.5
A
VGS = 5V
ID = 0.3A
5.3
VGS = 10V
ID = 1.0A
4
RDS(on)
(2)
Static Drain-Source
On-State Resistance
TC = 125°C
7.5
VGS = 5V
ID = 0.3A
1.6
VGS = 10V
ID = 1.0A
4
VDS(on)
(2)
Static Drain-Source
On-State Voltage
TC = 125°C
7.5
V
gfs
(2)
Forward Transconductance
VDS = 7.5V
ID = 0.475A
170
m
VSD
(2)
Body Diode Forward Voltage
VGS = 0
IS = 0.86A
0.7
1.4
V
trr
(2)
Body Diode Reverse Recovery
VGS = 0
IS = 1.0A
350
ns
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Ciss
Input Capacitance
VGS = 0
50
Coss
Output Capacitance
VDS = 25V
40
Crss
Reverse Transfer Capacitance
f = 1.0MHz
10
pF
td(on)
Turn-On Delay Time
VDD = 25V
10
td(off)
Turn-Off Delay Time
ID = 1.0A
RG = 50
10
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6661 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39
2N6667 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
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2N6667 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6667_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W
2N6667_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors
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