參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6661M1A
廠(chǎng)商： SEMELAB LTD
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 1 A, 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA
封裝： HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大小： 724K
代理商： 2N6661M1A
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE POWER MOSFET
2N6661M1A
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 9006
Issue 1
Page 3 of 3
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
1 2 3
0.89 (0.035)
1.14 (0.045)
10.41 (0.410)
10.67 (0.420)
3.56 (0.140)
3.81 (0.150)
4.83 (0.190)
5.08 (0.200)
1
0
.4
1
(0
.4
1
0
)
1
0
.9
2
(0
.4
3
0
)
1
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.3
8
(0
.5
2
7
)
1
3
.6
4
(0
.5
3
7
)
1
6
.3
8
(0
.6
4
5
)
1
6
.8
9
(0
.6
6
5
)
0.64 (0.025)
0.89 (0.035)
3.05 (0.120)
BSC
2.54 (0.100)
BSC
Dia.
1
2
.0
7
(0
.5
0
)
1
9
.0
5
(0
.7
5
0
)
Dia.
TO-257AA
Pin 1 = Source
Pin 2 = Gate
Pin 3 = Drain
Case = Isolated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6661 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39
2N6667 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6667 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6668-6255 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6667-6255 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6666 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6667 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6667_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W
2N6667_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors
2N6667G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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