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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6782LCC4 |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET（Vdss：100V，Id(cont)：3.1A，Rds(on)：0.6Ω）(N溝道功率型MOS場效應(yīng)管（Vdss：100V，Id(cont)：3.1A，Rds(on)：0.6Ω）) |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET（減振鋼板基本：100V的，身份證（續(xù)）：3.1A時，RDS（上）：0.6Ω）（不適用馬鞍山溝道功率型場效應(yīng)管（減振鋼板基本：100V的，身份證（續(xù)）：3.1A時，RDS （上）：0.6Ω）） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 21K |
| 代理商： | 2N6782LCC4 |
2N6782LCC4
10/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
2
Peak Diode Recovery
3
Operating and Storage Temperature Range
Surface Temperature ( for 5 sec).
(V
GS
= 10V , T
case
= 25°C)
(V
GS
= 10V , T
case
= 100°C)
E
AS
dv/dt
T
J
, T
stg
±20V
3.1A
2.0A
12A
11W
0.09W/°C
68mJ
5.5V/ns
-55 to +150°C
300°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
N–CHANNEL
POWER MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
FEATURES
SURFACE MOUNT
SMALL FOORPRINT
HERMETICALLY SEALED
DYNAMIC dv/dt RATING
AVALANCHE ENERGY RATING
SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
LIGHTWEIGHT
LCC4
Notes
1) Pulse Test: Pulse Width
￡
300
m
s,
d ￡
2%
2) @ V
DD
= 50V , L
3
570
m
H , R
G
= 25
W
, Peak I
L
= 14A , Starting T
J
= 25°C
3) @ I
SD
￡
14A , di/dt
￡
140A/
m
s , V
DD
￡
BV
DSS
, T
J
￡
150°C , Suggested R
G
= 7.5
W
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
100V
3.1A
0.6
W
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
15 16
13
12
14
3
4
5
6
7
17
18
1
2
11
10
8
9
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
≈
2.16 (0.085)
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
0.43 (0.017)
Rad.
Rad.
MOSFET
GATE
DRAIN
SOURCE
TRANSISTOR
BASE
COLLECTOR
EMITTER
PINS
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6796LCC4 | N-Channel Power MOSFET（Vdss：100V，Id(cont)：7.4A，Rds(on)：0.18Ω）(N溝道功率型MOS場效應(yīng)管（Vdss：100V，Id(cont)：3.4A，Rds(on)：0.18Ω）) |
| 2N6796U | N-Channel |
| 2N6791 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2N6792 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 |
| 2N6794LCC4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | LLCC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6782LCC4_07 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N6782U | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET - Bulk |
| 2N6783 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-39 |
| 2N6784 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 2.25A 3PIN TO-39 - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 200V, 2.25A, TO-205AF; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.25A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: No 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 2.25A 3-Pin TO-39 |
| 2N6784JANTX | 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 2.25A 3-Pin TO-39 |
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