參數(shù)資料
型號： 2N7000BU
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Advanced Small Signal MOSFET
中文描述： 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： 2N7000BU
FEATURES
MECHANICAL DATA
Case: TO-92 Plastic Package
Weight: approx. 0.18 g
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DMOS Transistors (N-Channel)
G
D
S
.181 (4.6)
mi
n.
.492
(12.5)
.181
(
4
.6)
.142 (3.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
TO-92
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
.098 (2.5)
max.
.022 (0.55)
4/98
2N7000
High input impedance
Low gate threshold voltage
Low drain-source ON resistance
High-speed switching
No minority carrier storage time
CMOS logic compatible input
No thermal runaway
No secondary breakdown
Inverse Diode
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
60
V
Drain-Gate Voltage
VDGS
60
V
Gate-Source Voltage (pulsed)
VGS
± 20
V
Drain Current (continuous)
ID
300
mA
Power Dissipation at Tamb = 25 °C
Ptot
8301)
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature Range
TS
–65 to +150
°C
1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case.
Symbol
Value
Unit
Max. Forward Current (continuous)
at Tamb = 25 °C
IF
500
mA
Forward Voltage Drop (typ.)
at VGS = 0, IF = 0.5 A, Tj = 25 °C
VF
850
mV
相關PDF資料
PDF描述
2N7000 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
2DI75Z-100 POWER TRANSISTOR MODULE
2DI75Z-120 POWER TRANSISTOR MODULE
2N7000CSM N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7000 N-CHANNEL-ENHANCEMENT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N7000BU_T
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