參數(shù)資料
型號： 2N7000BU
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Advanced Small Signal MOSFET
中文描述： 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： 2N7000BU
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
2N7000
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Drain-Source Breakdown Voltage
at ID = 100 A, VGS = 0 V
V(BR)DSS
60
90
–
V
Gate-Body Leakage Current, Forward
at VGSF = 20 V, VDS = 0 V
IGSSF
––10
nA
Gate-Body Leakage Current, Reverse
at VGSR = –20 V, VDS = 0 V
IGSSR
–
–10
nA
Drain Cutoff Current
at VDS = 48 V, VGS = 0 V
IDSS
––1
A
Gate-Source Threshold Voltage
at VGS = VDS, ID = 1.0 mA
VGS(th)
0.8
1.5
3
V
Drain-Source ON Resistance
at VGS = 10 V, ID = 500 mA
RDS(ON)
–3.5
5.0
Capacitance
at VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
Input Capacitance
Output Capacitance
Feedback Capacitance
CiSS
COSS
CrSS
–
60
25
5
–
pF
Switching Times
at VGS = 10 V, VDS = 10 V, RD = 100
Turn-On Time
Turn-Off Time
ton
toff
–
10
–
ns
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
RthJA
–
1501)
K/W
1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
2DI75Z-100 POWER TRANSISTOR MODULE
2DI75Z-120 POWER TRANSISTOR MODULE
2N7000CSM N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7000 N-CHANNEL-ENHANCEMENT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7000BU_T
2N7000CSM 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETHI-RELN CH60V0.2ALCC1 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET,HI-REL,N CH,60V,0.2A,LCC1
2N7000CSM_06 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7000-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號:2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號:2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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