參數(shù)資料
型號: 2N7000J18Z
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/14頁
文件大?。?/td> 746K
代理商: 2N7000J18Z
TO-92 (FS PKG Code 92, 94, 96)
TO-92 Package Dimensions
January 2000, Rev. B
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.1977
2000 Fairchild Semiconductor International
相關PDF資料
PDF描述
2N7000L-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-K 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000-T92-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000L 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
2N7000LTR 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N7000K 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N Channel MOSFET ESD Protected 2000V
2N7000KL 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
2N7000KL 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET N TO-92
2N7000KL-TR1 功能描述:MOSFET 60V (DS) .47A .8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000KL-TR1-E3 功能描述:MOSFET 60V (DS) .47A .8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube