參數(shù)資料
型號： 2N7002CSM-JQR-AG4
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： CERAMIC, SOT-23, LCC1-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 14K
代理商： 2N7002CSM-JQR-AG4
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
625
°C/W
V(BR)DSS Gate – Source Breakdown Voltage
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
IGSS
Gate – Body Leakage Current
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
ID(on)*
On–State Drain Current
RDS(on)* Drain – Source On Resistance
VDS(on)* Drain – Source On Voltage
gFS*
Forward Transconductance
gOS*
Common Source Output Conductance
Ciss
Input Capacitance
Coss
Output Capacitance
Crss
Reverse Transfer Capacitance
tON
Turn–On Time
tOFF
Turn–Off Time
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
Prelim. 7/98
2N7002CSM
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
CASE = 25°C unless otherwise stated)
VGS = 0V
ID = 10A
VDS = VGS
ID = 0.25mA
VGS = ±20VVDS = 0V
VDS = 60V
VGS = 0V
TCASE = 125°C
VDS≥2VDS(ON) VGS = 10V
VGS = 5V
ID = 50mA
TCASE = 125°C
VGS = 10V
ID = 0.5A
TCASE = 125°C
VGS = 5V
ID = 50mA
VGS = 10V
ID = 0.5A
TCASE = 125°C
VDS = 10V
ID = 0.2A
VDS = 5V
ID = 50mA
VDS = 25V
VGS = 0V
f = 1MHz
VDD = 30V
VGEN = 10V
RL = 150
RG = 25
ID = 0.2A
60
70
1
2.15
2.5
±100
1
500
1000
57.5
9
13.5
2.5
7.5
4.4
13.5
0.25
0.375
1.25
3.75
2.2
6.75
80
170
500
16
50
11
25
720
V
nA
A
mA
V
ms
s
pF
ns
STATIC CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
SWITCHING CHARACTERISTICS
* Pulse Test: PW = 80
s , δ≤ 1%
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
相關PDF資料
PDF描述
2N7002E-13 240 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002E-T1-GE3 240 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002FT/R 475 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002G-AL6-R 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002G-AL3-R 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002-D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件編號:2N7002 標準包裝:1
2N7002DCSM 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7002DSPT 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET
2N7002DW 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002DW _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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