參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002FT/R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 475 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 93K
代理商： 2N7002FT/R
2SA1291 / 2SC3255
No.1201-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
100
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)5A, IB=(--)0.25A
(--)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)60
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)5
V
Turn-On Time
ton
See specified Test Circuit.
0.1
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
0.5
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
0.1
s
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7507-001
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR03195
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
ITR03196
1.0
1.2
0.6
0.8
0.2
0.4
0
2
4
6
8
10
12
2SA1291
VCE= --2V
2SC3255
VCE=2V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
10.2
5.1
4.5
1.3
15.1
14.0
2.7
6.3
3.6
18.0
(5.6)
2.7
1.2
0.8
0.4
2.55
12
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220
PW=20
s
D.C.
≤1%
INPUT
VCC=20V
50
RB
4
IB1
IB2
100
F
470
F
VBE= --5V
VR
+
RL
OUTPUT
20IB1= --20IB2=IC=5A
For PNP, the polarity is reversed.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002G-AL6-R 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002G-AL3-R 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002KTB 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002KW 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002LG-AE2-R 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002-G 功能描述:MOSFET 60V 7.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002-G_12 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:MOSFET
2N7002G-AE2-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:0.3A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
2N7002H-13 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
2N7002H6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
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