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參數(shù)資料
| 型號： | 2N7002FT/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 475 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | 2N7002FT/R |
2SA1291 / 2SC3255
No.1201-3/4
hFE -- IC
f T -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- A
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- A
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
A S O
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
ITR03201
57 --0.1
7 --1.0
2
--0.01 23
35
7 --10
22
35
5
7 0.1
7 1.0
2
0.01
23
35
7 10
22
35
--0.1
--0.01
3
5
2
--1.0
3
5
2
--10
3
5
2
0.1
0.01
3
5
2
1.0
3
5
2
10
3
5
2
2SA1291
IC / IB=20
2SA1291
ITR03202
2SC3255
IC / IB=20
2SC3255
ITR03203
DC
operation
10ms
100ms
--10
5
7
2
3
5
3
5
--100
7
2
35
7
35
--0.1
7
2
--1.0
--10
ICP= --12A
IC= --10A
1ms
ITR03204
DC
operation
10ms
100ms
10
5
7
2
3
5
3
5
100
7
2
35
7
35
0.1
7
2
1.0
10
ICP=12A
IC=10A
1ms
2SA1291
VCE= --5V
--0.01
--0.1
23
3
57
--1.0
7
--10
5
23
7
5
22
7
10
5
7
100
5
3
2
ITR03199
2SC3255
VCE=5V
0.01
0.1
23
3
57
1.0
23
5
7
10
7
5
2
7
10
5
7
100
5
3
2
ITR03200
2SA1291
VCE= --2V
2SC3255
VCE=2V
1000
100
10
ITR03197
2 3
57
2 3
57
22
33
57
--0.01
--0.1
--1.0
--10
2
3
5
7
2
3
5
7
0.01
0.1
1.0
23
5
7
2
3
5 7
10
7
22
33
5
7
100
10
5
7
1000
5
3
2
3
2
ITR03198
Ta=120
°C
25
°C
--40°C
Ta=120°C
25
°C
--40
°C
Tc=25
°C
Single Pulse
Tc=25
°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002G-AL6-R | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002G-AL3-R | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002KTB | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002KW | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002LG-AE2-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N7002-G | 功能描述:MOSFET 60V 7.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N7002-G_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:MOSFET |
| 2N7002G-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:0.3A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2N7002H-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 |
| 2N7002H6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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