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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N7002KFN3 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DFN-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 130K |
| 代理商： | 2N7002KFN3 |
PAGE . 2
September 03.2010-REV.00
2N7002KFN3
ELECTRICALCHARACTERISTICS
Pa r a m e t e r
S ym b o l
Te s t C o nd it io n
M in.
Typ .
M a x.
Uni t s
St a t ic
D r a i n- S o ur c e B r e a k d o wn
Vo l t age
BV
DS S
V
GS =0 V , ID =1 0 μ A6 0
-
V
G a t e Thr e sho ld Vo lt age
V
GS ( th)
V
DS =V GS , ID =2 5 0 μ A1
-
2 . 5
V
D r a i n- S o ur c e On- S t a t e
Re si sta nce
R
DS ( o n)
V
GS=4.5V, I D=200mA
-
4 . 0
Ω
D r a i n- S o ur c e On- S t a t e
Re si sta nce
R
DS ( o n)
V
GS=10V, I D=500mA
-
3.0
Ze r o Ga t e Vo lt ag e D r ai n
Cur r e nt
I
DS S
V
DS=60V, VGS=0V
--1
μA
Gate Body Leakage
I
GS S
V
GS =+ 20 V , V DS =0 V
-
+ 10
μA
Forward Transconductance
g
fS
V
DS = 15V , ID = 250m A
100
-
m S
Dynamic
To ta l Ga te C ha r g e
Q
g
V
DS = 15V , ID = 200m A
V
GS=4.5V
--
0 . 8
nC
Turn-On D e la y Ti m e
t
on
V
DD=30V , RL=150Ω
I
D=200mA , VGEN=10V
R
G=10Ω
--
20
ns
Turn-Of f D e la y Ti m e
t
off
--
4 0
Inp ut C a p a c i ta nc e
C
iss
V
DS = 25V , V GS =0 V
f = 1. 0M H
Z
--
3 5
pF
O utp ut C a p a c i ta nc e
C
os s
--
10
Re ve r s e Tr ansf er
C apaci t anc e
C
rs s
--
5
S o ur c e -D ra i n D i o d e
D i ode F o r war d Vo lt age
V
SD
I
S = 2 00m A , V GS = 0 V
-
0. 82
1. 3
V
C o nti nuo us D i o d e F o r wa r d
Cur r e nt
I
s
--
-
11 5
m A
P uls ed D i ode F o r wa r d
Cur r e nt
I
sM
--
-
800
m A
VDD
VOUT
VIN
RG
RL
Switching
Test Circuit
Gate Charge
Test Circuit
VDD
VGS
RG
RL
1mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N706 | 50 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
| 2N709 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N726 | 50 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N2945 | 100 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
| 2N7274R | 8 A, 200 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N7002KG | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:N-Ch Small Signal MOSFET with Gate Protection |
| 2N7002KG-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:300m Amps, 60 Volts N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 2N7002KL-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:300mA, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 2N7002KL-TR1 | 功能描述:MOSFET 60V 0.47A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N7002KL-TR1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 0.47A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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