參數(shù)資料
型號(hào)： 2PA1576Q
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 雙極晶體管
英文描述： PNP general-purpose transistor
中文描述： PNP型通用晶體管
封裝： 2PA1576Q<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;2PA1576Q<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
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代理商： 2PA1576Q
2PA1576_6
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 17 November 2009
2 of 7
NXP Semiconductors
2PA1576
PNP general-purpose transistor
4.
Marking
Table 3.
Type number
2PA1576Q
2PA1576R
2PA1576S
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
5.
Limiting values
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current (DC)
I
CM
peak collector current
I
BM
peak base current
P
tot
total power dissipation
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
T
amb
ambient temperature
[1]
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
6.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-a)
[1]
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
Marking codes
Marking code
[1]
F*Q
F*R
F*S
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
-
-
Max
60
50
6
150
200
200
Unit
V
V
V
mA
mA
mA
T
amb
≤
25
°
C
[1]
-
200
+150
150
+150
mW
°
C
°
C
°
C
65
-
65
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
Conditions
Min
Typ
-
Max
625
Unit
K/W
[1]
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PA1774QM PNP general purpose transistor
2PA1774RM PNP general purpose transistor
2PA1774SM PNP general purpose transistor
2PA1774R PNP general-purpose transistor
2PB1219AQ PNP general purpose transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PA1576Q /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PA1576Q T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PA1576Q,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PA1576Q,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PA1576Q115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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