參數(shù)資料
型號： 2PB1219AQ
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 雙極晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： PNP通用型晶體管
封裝： 2PB1219AQ<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;2PB1219AQ<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 20
文件頁數(shù)： 1/6頁
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代理商： 2PB1219AQ
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 1997 Mar 25
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PB1219A
PNP general purpose transistor
handbook, halfpage
M3D187
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2PB1219AQ T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AQ,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AQ,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AQ115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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