參數(shù)資料
型號: 2PB709AQW
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 99K
代理商: 2PB709AQW
DATA SHEET
Product data sheet
2002 Jun 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PB709AW
PNP general purpose transistor
dbook, halfpage
M3D114
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PB709AR,115 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2PB710Q-TAPE-7 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2PB710S 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PB709AQW,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709AR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor
2PB709AR T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709AR,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ARL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors