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參數(shù)資料
| 型號： | 2PB709AQW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 2PB709AQW |
2SA1892
2004-07-07
3
Collector current IC (A)
VCE – IC
Collector current IC (A)
hFE – IC
D
C
c
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Collector current IC (A)
VCE – IC
Col
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V
CE
(V
)
Collector current IC (A)
VCE – IC
Col
lect
or
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V
CE
(V
)
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Coll
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CE
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Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
B
a
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V
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V
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1.0
0
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0.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
IB = 5 mA
40
20
30
120
2.8
60
80
160
180
200
Common emitter
Ta = 100°C
0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
IB = 10 mA
40
20
30
60
80
120
Common emitter
Ta = 55°C
2.8
1.0
160
200
10
0.005
1000
Ta = 100°C
25
0.01
0.1
0.3
1
30
50
100
300
Common emitter
VCE = 2 V
55
0.03
3
500
1.0
0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
IB = 5 mA
10
20 40
80
120
200
Common emitter
Ta = 25°C
2.8
160
0.1
0.005
10
Ta = 55°C
25
0.01
0.1
0.3
1
0.3
0.5
1
3
Common emitter
IC/IB = 20
100
0.03
3
5
0.01
0.005
1
Ta = 100°C
25
0.01
0.1
0.3
1
0.03
0.05
0.1
0.3
Common emitter
IC/IB = 20
55
0.03
3
0.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PB709AR,115 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2PB710Q-TAPE-7 | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PB710R-TAPE-7 | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PB710Q | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PB710S | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2PB709AR | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor |
| 2PB709AR T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PB709AR,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PB709ARL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors |
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