參數(shù)資料
型號(hào)： 2PB710AR
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： PLASTIC, SC-59, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 42K
代理商： 2PB710AR
1999 May 31
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
2PB710A
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
10
5
10
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
60 V
I
E
= 0; V
CB
=
60 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
150 mA; V
CE
=
10 V; note 1
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
2PB710AQ
2PB710AR
2PB710AS
DC current gain
collector-emitter saturation voltage I
C
=
300 mA; I
B
=
30 mA; note 1
base-emitter saturation voltage
collector capacitance
transition frequency
2PB710AQ
2PB710AR
2PB710AS
85
120
170
40
170
240
340
600
1.5
15
I
C
=
500 mA; V
CE
=
10 V; note 1
V
CEsat
V
BEsat
C
c
f
T
mV
V
pF
I
C
=
300 mA; I
B
=
30 mA; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz; note 1
100
120
140
MHz
MHz
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PB710AS PNP general purpose transistor
2PC1815 NPN general purpose transistor
2PC1815BL NPN general purpose transistor
2PC1815GR NPN general purpose transistor
2PC1815Y MOUNTING BRACKET RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PB710AR T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB710AR,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2PB710ARL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V 500MA PNP GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB710ARL,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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