參數(shù)資料
型號: 2PB710AS
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP general purpose transistor
中文描述: 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝: PLASTIC, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 42K
代理商: 2PB710AS
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1999 Apr 23
1999 May 31
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PB710A
PNP general purpose transistor
book, halfpage
M3D114
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PC1815 NPN general purpose transistor
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2PC1815GR NPN general purpose transistor
2PC1815Y MOUNTING BRACKET RoHS Compliant: Yes
2PC4081 MOUNTING BRACKET RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
2PB710AS,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB710ASL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
2PB710ASL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V 500MA PNP GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB710ASL,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB710ASL/DG 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 500 mA PNP general-purpose transistors