參數(shù)資料
型號： 2PD601ARL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： 2PD601ARL
2PD601AXL_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 6 November 2008
3 of 9
NXP Semiconductors
2PD601ARL; 2PD601ASL
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
5.
Limiting values
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
7.
Characteristics
Table 6.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current
I
CM
peak collector current
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
-
Max
60
50
6
100
200
Unit
V
V
V
mA
mA
single pulse;
t
p
≤
1 ms
single pulse;
t
p
≤
1 ms
T
amb
≤
25
°
C
I
BM
peak base current
-
100
mA
P
tot
T
j
T
amb
T
stg
total power dissipation
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
[1]
-
250
150
+150
+150
mW
°
C
°
C
°
C
-
55
65
Table 7.
Symbol
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction
to ambient
Conditions
in free air
Min
Typ
-
Max
500
Unit
K/W
[1]
-
Table 8.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
I
CBO
collector-base cut-off current V
CB
= 60 V; I
E
= 0 A
Characteristics
Conditions
Min
-
-
Typ
-
-
Max
10
5
Unit
nA
μ
A
V
CB
= 60 V; I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0 A
V
CE
= 2 V;
I
C
= 100 mA
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2 mA
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2 mA
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
-
-
-
10
-
nA
[1]
90
h
FE
group R
210
-
340
h
FE
group S
290
-
460
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PD601ART 50 V, 100 mA NPN general-purpose transistor
2PD601BRL 50 V, 200 mA NPN general-purpose transistors
2PD602AQL 50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
2PD602ARL 50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
2S304A Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PD601ARL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V 100MA NPN GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ARL,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ARL/DG 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
2PD601ART 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:90; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
2PD601ART /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*