參數(shù)資料
型號： 2PD601ARL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 56K
代理商： 2PD601ARL
2PD601AXL_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 6 November 2008
4 of 9
NXP Semiconductors
2PD601ARL; 2PD601ASL
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
[1]
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
8.
Test information
8.1 Quality information
This product has been qualified in accordance with the Automotive Electronics Council
(AEC) standard Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors and is
suitable for use in automotive applications.
9.
Package outline
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
transition frequency
I
C
= 100 mA;
I
B
= 10 mA
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2 mA;
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V;
I
E
= i
e
= 0 A;
f = 1 MHz
[1]
-
-
250
mV
f
T
100
-
-
MHz
C
c
collector capacitance
-
-
3
pF
Table 8.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Characteristics
…continued
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Fig 1.
Package outline SOT23 (TO-236AB)
04-11-04
Dimensions in mm
0.45
0.15
1.9
1.1
0.9
3.0
2.8
2.5
2.1
1.4
1.2
0.48
0.38
0.15
0.09
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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2PD601ARL,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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