參數(shù)資料
型號： 2PD601BRL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 50 V, 200 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/13頁
文件大小： 295K
代理商： 2PD601BRL
2PD601BRL_2PD601BSL
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Product data sheet
Rev. 1 — 28 June 2010
2 of 13
NXP Semiconductors
2PD601BRL; 2PD601BSL
50 V, 200 mA NPN general-purpose transistors
2. Pinning information
Table 3.
Pin
1
2
3
3. Ordering information
Table 4.
Type number
4. Marking
Table 5.
Type number
2PD601BRL
2PD601BSL
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
5. Limiting values
Table 6.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current
I
CM
peak collector current
Pinning
Description
base
emitter
collector
Simplified outline
Graphic symbol
1
2
3
sym021
3
2
1
Ordering information
Package
Name
-
Description
plastic surface-mounted package; 3 leads
Version
SOT23
2PD601BRL
2PD601BSL
Marking codes
Marking code
[1]
ML*
MM*
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
-
Max
60
50
6
200
300
Unit
V
V
V
mA
mA
single pulse;
t
p
≤
1 ms
single pulse;
t
p
≤
1 ms
I
BM
peak base current
-
200
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PD602AQL 50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
2PD602ARL 50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
2S304A Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package.
2SA1979M PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)
2SA1979S PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PD601BRL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50 V 200 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601BSL 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORNPN50V0.2ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,50V,0.2A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,50V,0.2A,SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:290; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
2PD601BSL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50 V 200 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD602 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR
2PD602/A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN General Purpose Transistors
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