參數(shù)資料
型號(hào)： 2PD601BRL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 50 V, 200 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大?。?/td> 295K
代理商： 2PD601BRL
2PD601BRL_2PD601BSL
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Product data sheet
Rev. 1 — 28 June 2010
4 of 13
NXP Semiconductors
2PD601BRL; 2PD601BSL
50 V, 200 mA NPN general-purpose transistors
7. Characteristics
Table 8.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
I
CBO
collector-base cut-off current V
CB
= 60 V; I
E
= 0 A
[1]
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
FR4 PCB, standard footprint
Fig 2.
Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
006aaa991
10
5
10
10
2
10
4
10
2
10
1
t
p
(s)
10
3
10
3
1
10
2
10
10
3
Z
th(j-a)
(K/W)
1
0.75
0.50
0.33
0.20
0.01
0.10
0.05
0.02
0
δ
= 1
Characteristics
Conditions
Min
-
-
Typ
-
-
Max
10
5
Unit
nA
μ
A
V
CB
= 60 V; I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0 A
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2 mA
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
-
210
-
-
10
460
nA
h
FE
group R
h
FE
group S
collector-emitter saturation
voltage
transition frequency
210
290
-
-
-
340
460
250
V
CEsat
I
C
= 100 mA;
I
B
= 10 mA
V
CE
= 6 V;
I
C
= 10 mA;
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V;
I
E
= i
e
= 0 A;
f = 1 MHz
[1]
-
mV
f
T
100
250
-
MHz
C
c
collector capacitance
-
-
3
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PD602AQL 50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
2PD602ARL 50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
2S304A Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package.
2SA1979M PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)
2SA1979S PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PD601BRL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50 V 200 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601BSL 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORNPN50V0.2ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,50V,0.2A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,50V,0.2A,SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:290; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
2PD601BSL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50 V 200 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD602 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR
2PD602/A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN General Purpose Transistors
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