參數(shù)資料
型號： 2SA1096
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)
中文描述： 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： 2SA1096
Power Transistors
189
2SC2497, 2SC2497A
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
P
C
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
C
ob
V
CB
V
CER
R
BE
I
CBO
T
a
0
6
5
4
3
2
1
0
40
80
120
160
(1)With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(2)Without heat sink
(1)
(2)
Ambient temperature T
a
(
C)
C
C
0
1.0
3.0
2.0
4.0
3.5
2.5
1.5
0.5
0
12
2
10
4
8
6
T
C
=25
C
45mA
40mA
35mA
30mA
20mA
25mA
10mA
5mA
15mA
I
B
=50mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.01
0.03
Collector current I
C
(A)
0.1
0.3
1
3
I
C
/I
B
=10
–
25
C
25
C
T
C
=100
C
C
C
0.01
0.03
0.01
1
0.1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
0.1
0.3
1
3
10
3
I
C
/I
B
=10
T
C
=
–
25
C
25
C
100
C
B
B
0.01
3
1
0.1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
CE
=5V
T
C
=100
C
25
C
–
25
C
F
F
–
0.01
–
0.03
–
0.1
–
0.3
–
1
–
3
–
10
0
240
200
160
120
80
40
V
CB
=5V
f=200MHz
T
C
=25
C
Emitter current I
E
(A)
T
T
0
1
240
200
160
120
80
40
3
10
30
100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25
C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
20
40
60
80
100
10
30
50
70
90
I
C
=10mA
T
C
=25
C
Base to emitter resistance R
BE
(k
)
C
C
1
10
10
2
10
3
10
4
180
140
100
60
20
0
40
80
120
160
V
CB
=40V
Ambient temperature T
a
(
C)
I
C
a
)
I
C
a
=
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1096A Silicon NPN epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)
2SA1110 SI PNP EPITAXIAL PLANAR
2SA1115 2SA1115
2SA1116 2SA1116
2SA1123 Silicon PNP epitaxial planer type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA10960Q 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 2A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA10960R 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 2A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1096A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon PNP Power Transistors
2SA1096AQ 功能描述:TRANS PNP HF 60VCEO 2A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1096AR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126
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