參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1748
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 35K
代理商： 2SA1748
1
Transistor
2SA1748
Silicon PNP epitaxial planer type
For high-frequency amplification
Complementary to 2SC4562
I
Features
G
High transition frequency f
T
.
G
Small collector output capacitance C
ob
.
G
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–70
S–Mini Type Package
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–50
–50
–5
–50
150
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –10V, I
E
= 0
V
CE
= –10V, I
B
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –1mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –10V, I
C
= –2mA
I
C
= –10mA, I
B
= –1mA
V
CB
= –10V, I
E
= 2mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–50
–50
–5
200
typ
– 0.1
250
1.5
max
– 0.1
–100
500
– 0.3
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
V
MHz
pF
*
h
FE
Rank classification
Rank
Q
R
h
FE
200 ~ 400
250 ~ 500
Marking Symbol
ALQ
ALR
Marking symbol :
AL
2.1
±
0.1
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
+
–
0
+
–
2
±
0
1.25
±
0.1
0.425
0.425
1
3
2
0
0
0
0
0.2
±
0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1761 TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)
2SA1762 Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1767 Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1771 TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)
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參數(shù)描述
2SA17480RL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1748GRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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