參數(shù)資料
型號(hào): 2SA1790
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述: 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 37K
代理商: 2SA1790
1
Transistor
2SA1790
Silicon PNP epitaxial planer type
For high-frequency amplification
Complementary to 2SC4626
I
Features
G
High transition frequency f
T
.
G
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the maga-
zine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–75
SS–Mini Type Package
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–30
–20
–5
–30
125
125
–55 ~ +125
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Forward current transfer ratio
Transition frequency
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter voltage
Noise figure
Reverse transfer impedance
Common emitter reverse transfer
capacitance
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE*
f
T
V
CE(sat)
V
BE
NF
Z
rb
C
re
Conditions
V
CB
= –10V, I
E
= 0
V
CE
= –20V, I
B
= 0
V
EB
= –5V, I
C
= 0
V
CE
= –10V, I
C
= 1mA
V
CB
= –10V, I
E
= 1mA, f = 200MHz
I
C
= –10mA, I
B
= –1mA
V
CE
= –10V, I
C
= –1mA
V
CB
= –10V, I
E
= 1mA, f = 5MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 1mA, f = 2MHz
V
CE
= –10V, I
C
= –1mA
f = 10.7MHz
min
70
150
typ
300
– 0.1
– 0.7
2.8
22
1.2
max
– 0.1
–100
–10
220
4.0
60
2.0
Unit
μ
A
μ
A
MHz
V
V
dB
pF
*
h
FE
Rank classification
Rank
B
C
h
FE
70 ~ 140
110 ~ 220
Marking Symbol
EB
EC
1.6
±
0.15
1
±
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
0
0
0
0.8
±
0.1
0.4
0.4
0
+
0
+
1
2
3
0.2
±
0.1
Marking symbol :
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1791 Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1795 Switching Power Transistor(-5A PNP)
2SA1796 Switching Power Transistor(-7A PNP)
2SA1801 TRANSISTOR (VIDEO OUTPUT STAGE IN HIGH RESOLUTION DISPLAY)
2SA1802 TRANSISTOR (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1790GCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SA1790JCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791GRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791JRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1793 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: