參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1790
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： 2SA1790
2
Transistor
2SA1790
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
150
125
100
75
50
25
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–10
–8
–2
–6
–4
0
–30
–25
–20
–15
–10
–5
Ta=25C
I
B
=–250
μ
A
–200
μ
A
–150
μ
A
–100
μ
A
–50
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
– 0.1
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
C
C
0
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
120
100
80
60
40
20
V
CE
=–10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0
Collector to base voltage V
CB
(V)
–1
–10
–100
– 0.3
–3
–30
6
5
4
3
2
1
f=1MHz
I
=0
Ta=25C
C
o
–1
–3
–10
–30
–100
0
5
4
3
2
1
I
=–1mA
f=10.7MHz
Ta=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
r
0.1
1
10
100
0.3
Emitter current I
E
(mA)
3
30
0
600
500
400
300
200
100
V
=–10V
Ta=25C
T
T
0
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
24
20
16
12
8
4
V
=–10V
f=100MHz
Ta=25C
P
0.1
0.3
1
3
10
0
5
4
3
2
1
V
=–10V
f=100MHz
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
N
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
C
re
— V
CE
f
T
— I
E
PG — I
C
NF — I
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1791 Silicon PNP epitaxial planer type
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參數(shù)描述
2SA1790GCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SA1790JCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791GRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791JRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1793 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
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