參數(shù)資料
型號： 2SA1806
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SA1806
1
Transistor
2SA1806
Silicon PNP epitaxial planer type
For high speed switching
I
Features
G
High-speed switching.
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the maga-
zine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–75
SS–Mini Type Package
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–15
–15
–4
–100
–50
125
125
–55 ~ +125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
Turn-off time
Storage time
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE(sat)
f
T
C
ob
t
on
t
off
t
stg
Conditions
V
CB
= –8V, I
E
= 0
V
EB
= –3V, I
C
= 0
V
CE
= –1V, I
C
= –10mA
V
CE
= –1V, I
C
= –1mA
I
C
= –10mA, I
B
= – 1mA
V
CB
= –10V, I
E
= 10mA, f = 200MHz
V
CB
= –5V, I
E
= 0, f = 1MHz
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min
50
30
800
typ
– 0.1
1500
1
12
20
19
max
– 0.1
– 0.1
150
– 0.2
Unit
μ
A
μ
A
V
MHz
pF
ns
ns
ns
*
h
FE1
Rank classification
Rank
Q
R
h
FE1
50 ~ 120
90 ~ 150
Marking Symbol
AKQ
AKR
1.6
±
0.15
1
±
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
0
0
0
0.8
±
0.1
0.4
0.4
0
+
–
0
+
–
1
2
3
0.2
±
0.1
Marking symbol :
AK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1811 TRANSISTOR (LOW FREQUENCY, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS
2SA1816 Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1816(TENTATIVE) Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1822 TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING, SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATIONS)
2SA1832F AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
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參數(shù)描述
2SA1806GRL 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SA1807TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP;HIGH VOLTAGE HFE RANK ’P’ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1812T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 400V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1813-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:omo 25V 0.15A 500 to 1200 MCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP 25V 0.15A SOT323 制造商:Sanyo 功能描述:0
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