型號(hào): | 2SA1832FV-Y |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | 2-1L1A, VESM, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 144K |
代理商: | 2SA1832FV-Y |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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2SA1832-GR(T5L,F,T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1832-GR(T5L,F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP SSM |
2SA1832-GR(TE85L,F | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
2SA1832-GR,LF | 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SSM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |