參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1926
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 3000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大小： 100K
代理商： 2SA1926
2SC4919-S
No. A1086-3/4
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
hFE -- IC
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
VBE(sat) -- IC
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- mA
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
--
mV
Collector Current, IC -- mA
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
--
V
f T -- IC
Cob -- VCB
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector Current, IC -- mA
Gain-Brandwidth
Product,
f
T
--
MHz
PC -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
--
mW
Ron -- IB
Base Current, IB -- mA
ON
Resisitance,
Ron
--
Ω
ITR07761
ITR07762
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
40
20
80
60
100
140
120
160
150
1.0
5
7
5
7
3
2
10
57
7
3
0.1
1.0
2
57
3
2
f=1MHz
IB
IN
OUT
1k
Ω
10k
Ω
ITR07755
ITR07756
100
5
7
3
2
1000
5
3
2
0
0.6
0.8
1.0
0.4
0.2
1.2
57
7
3
10
1.0
22
57
3
100
2
60
80
100
0
20
40
120
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
VCE=2V
Ta=75°C
--25°C
25°C
ITR07757
7
10
1.0
73
5
100
27
35
22
100
7
5
3
1000
7
5
3
2
VCE=5V
ITR07760
ITR07758
ITR07759
1.0
0.1
2
3
10
25
77
32
5 7
32
2
57
3
100
1.0
0.1
10
25
77
32
5 7
32
2
57
3
100
10
5
3
7
5
7
100
2
0.1
3
2
3
5
7
5
7
1.0
IC / IB=10
1.0
72
3
5
23
5
10
7
1.0
10
2
5
3
7
5
3
7
IC / IB=10
f=1MHz
Ta= --25°C
25
°C
75°C
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1929F 100 mA, 100 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1932 1 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1934-O 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1934-Y 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1937 500 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1930(LBS2MATQ,M 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1930(ONK,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1930(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi,Bipolar,Transistor,2SA1930(Q),PNP,Power,Low voltage
2SA1930(Q,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 180V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1930,CKQ(J 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*