參數(shù)資料
型號： 2SA1942-O
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： 2SA1942-O
2SA1942
2006-11-09
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 160 V, IE = 0
―
5.0
μA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
5.0
μA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 50 mA, IB = 0
160
―
V
hFE (1)
(Note)
VCE = 5 V, IC = 1 A
55
―
160
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 6 A
35
80
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 8 A, IB = 0.8 A
―
1.1
2.5
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 V, IC = 6 A
―
1.0
1.5
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 1 A
―
30
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
320
―
pF
Note: hFE (1) classification R: 55 to 110, O: 80 to 160
Marking
2SA1942
TOSHIBA
JAPAN
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1943-O 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1952TL/Q 5000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1953-A 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1953-B 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1953A 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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