參數(shù)資料
型號: 2SA1977
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 185K
代理商: 2SA1977
2SB1495
2004-07-26
2
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 100 V, IE = 0
10
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 8 V, IC = 0
0.8
4.0
mA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
100
V
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 1 A
2000
DC current gain
hFE (2)
VCE = 2 V, IC = 2 A
2000
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 1.5 A, IB = 1.5 mA
1.5
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1.5 A, IB = 1.5 mA
2.0
V
Turn-on time
ton
0.5
Storage time
tstg
1.0
Switching time
Fall time
tf
IB1 = IB2 = 1.5 mA, duty cycle ≤ 1%
0.4
s
Marking
I B1
20 s
Input
I B2
VCC ≈ 30 V
IB2
IB1
Output
20
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
B1495
Part No. (or abbreviation code)
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SA1977-L-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:GP BJT
2SA1977-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000
2SA1977-T1B-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 15mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1