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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2012 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | 2SA2012 |
2SA2012 / 2SC5565
No.6306-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)30V, IE=0A
(--)0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
(350)420
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(30)20
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
(--140)125 (--210)190
mV
VCE(sat)2
IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA
(--)170
(--)260
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
(--)0.83
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--30)40
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)30
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(50)30
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(270)300
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(25)15
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
VR
RB
24Ω
VCC=12V
100μF
470μF
VBE=--5V
PW=20μs
IB1
IB2
D.C.≤1%
IC=20IB1= --20IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2030T2L | 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2018TL | 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2031 | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2043 | 10000 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2044 | 9000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA2012_11 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SA2012_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SA2012-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2013 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SA2013_05 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
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