參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA2029M3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor
中文描述： 進(jìn)步黨硅通用晶體管放大器
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 58K
代理商： 2SA2029M3
2SA2029M3T5G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
CollectorBase Breakdown Voltage (I
C
= 50 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
60
Vdc
CollectorEmitter Breakdown Voltage (I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
50
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage (I
E
= 50 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)EBO
6.0
Vdc
CollectorBase Cutoff Current (V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.5
nA
EmitterBase Cutoff Current (V
EB
= 7.0 Vdc, I
B
= 0)
I
EBO
0.1
A
CollectorEmitter Saturation Voltage (Note 2)
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.5
Vdc
DC Current Gain (Note 2)
(V
CE
= 6.0 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc)
h
FE
120
560
Transition Frequency
(V
CE
= 12 Vdc, I
C
= 2.0 mAdc, f = 30 MHz)
f
T
140
MHz
Output Capacitance (V
CB
= 12 Vdc, I
E
= 0 Adc, f = 1.0 MHz)
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, Duty Cycle
≤
2%.
C
OB
3.5
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA202 2SA203
2SA201 2SA203
2SA203 2SA203
2SA2042 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
2SA2046 SILICON PNP EPITAXIAL PLANER TYPE
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參數(shù)描述
2SA2029M3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2029Q 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor
2SA2029R 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor
2SA2029S 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor
2SA2029T2L/QR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
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