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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2046 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SILICON PNP EPITAXIAL PLANER TYPE |
| 中文描述： | 1500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 362K |
| 代理商： | 2SA2046 |
Transistors
2SA2046
Silicon PNP epitaxial planer type
1
For DC-DC converter
I
Features
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
Mini3-G1 type package, allowing downsizing and thinning of the
equipment and automatic insertion through the tape packing
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
30
20
5
5
1.5
V
Collector to emitter voltage
V
Emitter to base voltage
V
EBO
I
CP
I
C
V
Peak collector current
A
Collector current
A
Collector power dissipation
*
P
C
T
j
T
stg
400
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, , I
C
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
100 mA
I
C
=
500 mA, I
B
=
25 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
20 mA
f
=
200 MHz
30
20
5
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
V
EBO
h
FE
V
Emitter to base voltage
V
Forward current transfer ratio
*
160
560
Collector to emitter saturation voltage
*
V
CE(sat)
C
ob
f
T
50
150
mV
Collector output capacitance
25
35
pF
Transition frequency
170
MHz
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Marking Symbol: 3Z
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-59
Mini3-G1 Type Package
Note)*: Measure on the ceramic substrate at 15
×
15
×
0.6 mm
3
0.40
+0.10
0.05
1.45
0
±
0
±
1
+
0
2
+
0
2
1
3
0.95
0.95
1.90
±0.20
2.90
+0.05
0.16
+0.06
0
±
5
°
10
°
0
～
+
0
1
+
0
Note)*: Pulse measurement
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2056 | - |
| 2SA2057 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 2SA2058 | - |
| 2SA2059 | SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA205 | General Purpose Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA204600L | 功能描述:TRAN PN HF 20VCEO 1.5A MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA2047 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR (-30V,-0.5A) |
| 2SA2048 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium power transistor (−30V, −1.0A) |
| 2SA2048K | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium power transistor (−30V, −1.0A) |
| 2SA2048KT146Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT PNP 30V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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