- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄33325 > 2SA2047T106R 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SA2047T106R |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | UMT3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SA2047T106R |
2SA2047
Transistor
2/3
!
!Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ. Max.
Unit
Conditions
BVCBO
30
VIC
= 100A
IC
= 1mA
IE
= 100A
VCB
= 20V
VEB
= 4V
IC
= 100mA, IB= 10mA
VCE
= 2V, IC= 50mA
VCE
= 10V, IE=100mA, f=10MHz
VCB
= 10V, IE=0A, f=1MHz
BVCEO
30
V
BVEBO
6
V
ICBO
1.0
A
IEBO
1.0
A
VCE (sat)
150 300 mV
hFE
120
390
fT
400
MHz
Cob
10
pF
Ton
40
ns
Tstg
100
ns
Tf
40
ns
IC
= 500mA
IB1
= 50mA
IB2
=50mA
VCC
25V
Turn-on time
Storage time
Fall time
Transition frequency
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Collector output capacitance
!
!hFE RANK
QR
120
270
180
390
!
!Electrical characteristic curves
0.1
1
10
100
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.1 Safe Operating Area
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
10
10ms
1ms
500us
100ms
DC
Single
non repetitive
Pulse
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.2 Switching Time
10
100
SWITCHING
TIME
:
(ns)
1000
Ta
=25°C
VCC
= 25V
IC/IB
=10/1
Tstg
Tf
Ton
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.3 DC Current Gain vs.
Collector Current (
Ι)
10
100
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
1000
VCE
= 2V
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
Ta
=125°C
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 DC Current Gain vs.
Collector Current (
ΙΙ)
10
100
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
1000
Ta
=25°C
VCE
= 5V
VCE
= 3V
VCE
= 2V
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.5 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs.
Collector Current (
Ι)
0.01
0.1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
1
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
Ta
=125°C
IC/IB
=10/1
IC/IB
=20/1
IC/IB
=100/1
IC/IB
=10/1
Ta
=25°C
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.6 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs.
Collector Current (
ΙΙ)
0.01
0.1
1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2059 | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2059 | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2060 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2060 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2061 | 2500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA2048 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium power transistor (−30V, −1.0A) |
| 2SA2048K | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium power transistor (−30V, −1.0A) |
| 2SA2048KT146Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT PNP 30V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2048KT146R | 功能描述:TRANS PNP 30V 1A SOT-346 TR RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA2048TLR | 功能描述:TRANSISTOR PNP 30V 1A TSMT3 TR RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。