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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA2059 |
| 廠(chǎng)商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 中文描述： | 硅外延式進(jìn)步黨 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | 2SA2059 |
2SA2059
2001-10-29
3
C
C
B
V
B
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Collector current I
C
(A)
h
FE
– I
C
D
F
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
– I
C
C
V
C
Collector current I
C
(A)
V
BE (sat)
– I
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
Common emitter
IC/IB
=
30
Single
nonrepetitive
pulse
55
Ta
=
100°C
25
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
Common emitter
IC/IB
=
30
Single
nonrepetitive
pulse
55
Ta
=
100°C
25
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
1
2
3
4
5
6
IB
=
5 mA
10
20
40
60
80
100
Common emitter
Ta
=
25°C
Single nonrepetitive pulse
1
0.001
0.01
0.1
1
10
10
100
1000
10000
Common emitter
VCE
=
2 V
Single
nonrepetitive
pulse
55
Ta
=
100°C
25
2
0
0
1
0.4
0.8
1.2
1.6
3
4
5
55
25
Common emitter
VCE
=
2 V
Single nonrepetitive
pulse
Ta
=
100°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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