參數(shù)資料
型號： 2SA2070
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅外延式進(jìn)步黨
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： 2SA2070
2SA2070
2004-07-07
3
C
C
B
V
B
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
V
CE
C
C
Collector current I
C
(A)
h
FE
I
C
D
F
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
I
C
C
V
C
Collector current I
C
(A)
V
BE (sat)
I
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
0
0
0.2
0.4
0.8
1
1.2
0.2
0.4
0.6
0.8
1
5
2
IB
=
1mA
10
15
20
30
40
50
100
0.6
0
Common emitter
Ta
=
25°C
Single nonrepetitive pulse
10
0.001
0.01
0. 1
1
100
1000
5000
0.003
0.03
0.3
30
300
3000
Ta
=
100°C
55
25
0.01
0.001
0.01
0. 1
1
0.1
1
5
0.003
0.03
0.3
0.03
0.3
3
Common emitter
IC/IB
=
30
Single nonrepetitive pulse
0
0
0.4
0.8
1.2
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Ta
=
100°C
55
25
Common emitter
VCE
=
2 V
Single nonrepetitive pulse
1.0
0.6
0.2
Ta
=
100°C
55
25
Common emitter
VCE
=
2 V
Single nonrepetitive pulse
0.1
0.001
0.01
0.1
1
1
10
0.003
0.03
0.3
0.3
3
Ta
=
100°C
25
55
0.03
Common emitter
IC/IB
=
30
Single nonrepetitive pulse
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