參數(shù)資料
型號： 2SA2120
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Power Amplifier Applications
中文描述： 功率放大器應(yīng)用
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 160K
代理商： 2SA2120
2SA2120
2006-11-16
4
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Safe operating area
100
1
10
100
1
1000
10
*: Single non-repetitive
pulse Tc = 25°C
Curves must be de-rated
linearly with increase in
temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
V
DC operation
Tc = 25°C
1 ms*
10 ms*
100 ms*
0.1
0
0
40
80
120
160
200
50
100
200
250
C
C
Ambient temperature Ta (°C)
P
C
– Ta
150
T
t
r
th
– t
w
Pulse width t
w
(s)
100
0.01
0.001
1000
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
1
Curves should be applied in thermal limited
area. (single non-repetitive pulse)
①
Infinite heat sink
②
No heat sink
①
②
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SA2120-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2121 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications
2SA2121-O 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2121-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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