參數(shù)資料
型號： 2SA2154
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications
中文描述： 硅外延式進步黨（厘進程）通用放大器應用
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： 2SA2154
2SA2154
2005-03-23
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA2154
General-Purpose Amplifier Applications
High voltage and high current
: V
CEO
=
50 V, I
C
=
100 mA (max)
Excellent h
FE
linearity
: h
FE
(I
C
=
0.1 mA)/h
FE
(I
C
=
2 mA) = 0.95 (typ.)
High h
FE :
h
FE
= 120~400
Complementary to 2SC6026
Lead (Pb) free
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
0.1
μ
A
Emitter cutoff current
I
EBO
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
0.1
μ
A
DC current gain
h
FE
(Note)
V
CE
=
6 V, I
C
=
2 mA
120
400
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
=
100 mA, I
B
=
10 mA
0.18
0.3
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=
10 V, I
C
=
1 mA
80
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
1.6
pF
Note: h
FE
classification Y (F): 120~240, GR (H): 200~400
( ) marking symbol
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-1E1A
Weight: 0.0006 g (typ.)
fSM
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
0
0.1±0.05
3
0.8±0.05
1.0±0.05
0
0
0
1
2
0.1±0.05
0
+
-
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
100
mA
Base current
I
B
30
mA
Collector power dissipation
P
C
50
mW
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
Type Name
h
FE
Rank
8F
相關PDF資料
PDF描述
2SA2162 Silicon PNP epitaxial planar type
2SA2164 Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification
2SA3886A 2SA3886A
2SC3886A 2SC3886A
2SA42 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2154CT 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:General-Purpose Amplifier Applications
2SA2154CT-GR(TPL3) 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2154CT-GR,L3F 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1
2SA2154CT-Y(TPL3) 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2154-GR 功能描述:兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*