- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄49903 > 2SA2120 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2120 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | 2SA2120 |
2SA2120
2006-11-16
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SA2120
Power Amplifier Applications
Complementary to 2SC5948
Recommended for audio frequency amplifier output stage.
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
200
V
Collector-emitter voltage
VCEO
200
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
12
A
Base current
IB
1.2
A
Collector power dissipation
PC
200
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-16C1A
Weight: 4.7 g (typ.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2121-R | 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2121 | 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2125 | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2140P | 1.5 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA2140Q | 1.5 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA2120-O(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2120-R(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2121 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications |
| 2SA2121-O | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2121-O(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。