參數(shù)資料
型號： 2SA2162
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 500 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 423K
代理商： 2SA2162
Transistors
Publication date : December
2004
SJC
00323
AED
1
2SA2162
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to
2
SC
6036
Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
SSS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic
insertion through the tape packing
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
–
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
–
12
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
–
5
V
Collector current
I
C
–
500
mA
Peak collector current
I
CP
–
1
A
Collector power dissipation
P
C
100
mW
Junction temperature
T
j
125
°
C
Storage temperature
T
stg
–
55
to +
125
°
C
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
= –
10
μ
A, I
E
=
0
–
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
= –
1
mA, I
B
=
0
I
E
= –
10
μ
A, I
C
=
0
–
12
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
–
5
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
V
CB
= –
10
V, I
E
=
0
–
0
.
1
μ
A
Forward current transfer ratio
h
FE
V
CE
= –
2
V, I
C
= –
10
mA
270
680
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
= –
200
mA, I
B
= –
10
mA
–
250
mV
Transition frequency
f
T
V
CB
= –
2
V, I
E
=
10
mA, f =
200
MHz
200
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
C
ob
V
CB
= –
10
V, f =
1
MHz
4
.
5
pF
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C
7030
measuring methods for transistors.
Unit: mm
1: Base
2: Emitter
3: Collecter
SSSMini3-F1 Package
1
±
0
0
±
0
0
0
5
0
0
±
0
0
0.33
(0.40)
(0.40)
0.80
±
0.05
1.20
±
0.05
1
2
3
5°
+
0.05
0.10
+
0.05
0.23
+
0.05
Marking Symbol :
2
U
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2164 Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification
2SA3886A 2SA3886A
2SC3886A 2SC3886A
2SA42 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SA44 High voltage transistors
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參數(shù)描述
2SA216200L 功能描述:TRANS PNP 12VCEO 500MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SA216300A 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA ML3-N2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2164 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification
2SA216400L 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSSMINI3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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