參數(shù)資料
型號： 2SA854ST146R
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SPT, SC-72, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： 2SA854ST146R
2SA854S
Transistors
Rev.A
1/3
Medium Power Transistor
(-32V, -0.5A)
2SA854S
Features
1) Large IC.
ICMAX. = -500mA
2) Low VCE(sat). Idea for low-voltage operation.
3) Complements the 2SC1741S.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
Denotes hFE
(15Min.)
0.45
0.5
0.45
5
(1) (2) (3)
0.05
0.15
0.05
2.5
0.4
0.1
3Min.
2SA854S
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
4 0.2
±
2 0.2
±
3
0.2±
+
+
+
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
40
V
A
W
32
5
0.5
0.3
150
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
PCMAX. must not be exceeded.
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA854STP 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1036KT146 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA872D SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA872AD SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA872 SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
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2SA854STPR 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA857 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB
2SA858 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB
2SA866 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-30V -.1A .3W EBC
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