型號(hào): | 2SA965-O |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封裝: | LEAD FREE, TO-92MOD, 2-5J1A, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
文件大?。?/td> | 128K |
代理商: | 2SA965-O |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SA965-Y | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SA965 | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SA966-Y | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA966-O | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA970-GR | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SA965-O(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 3-Pin TO-92 Mod 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor |
2SA965-O(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:LSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SA965-O,F(J | 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:LSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
2SA965TM | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:-0.8A , -120V PNP Plastic Encapsulated Transistor |
2SA965Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |