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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB0946 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | For Power Switching |
| 中文描述： | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | 2SB0946 |
2SB0946
2
SJD00025BED
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
C
P
C
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
C
ob
V
CB
t
on
, t
stg
, t
f
I
C
Safe operation area
0
160
40
120
80
0
10
20
30
40
50
(1)T
C
=Ta
(2)With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(4)
(3)
(2)
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
2
4
6
10
8
0
10
2
4
8
6
T
C
=25C
I
B
=–120mA
––100mA
–90–80mA
–70mA
–60mA
–40mA
–30mA
–20mA
–10mA
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
C
/I
B
=20
25C
T
C
=100C
–25C
C
C
Collector current I
C
(A)
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
I
C
/I
B
=20
T
C
=–25C
25C
100C
B
B
Collector current I
C
(A)
0.1
1
10
100
1
10
F
F
Collector current I
C
(A)
10
2
10
4
10
3
V
CE
=–2V
T
C
=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
1
10
10
2
10
4
10
3
V
CE
=–10V
f=10MHz
T
C
=25C
Collector current I
C
(A)
T
T
0.1
1
10
100
1
10
10
2
10
3
10
4
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
0
0.01
0.1
1
10
100
8
2
6
4
T
o
s
f
μ
s
Collector current I
C
(A)
t
stg
t
on
t
f
Pulsed t
w
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=10
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–50V
T
C
=25C
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
–0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
t=1ms
t=10ms
t=0.5ms
I
CP
I
C
Non repetitive pulse
T
C
=25C
DC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB0947 | For Low-Voltage Switcing |
| 2SB0947A | For Low-Voltage Switcing |
| 2SB0948 | For Low-Voltage Switching |
| 2SB0948A | For Low-Voltage Switching |
| 2SB0949 | For Power Amplification And Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB0946(2SB946) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:パワーデバイス － パワートランジスタ － 汎用電力増幅 |
| 2SB09460P | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 7A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0946P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | SC-67 |
| 2SB0946PQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | SC-67 |
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